Mô-đun IGBT của SiemensLà một sản phẩm bán dẫn mô-đun bao gồm IGBT (chip bán dẫn lưỡng cực lưới cách điện) và FWD (chip diode tiếp tục) thông qua một gói cầu nối mạch cụ thể; Mô-đun IGBT sau khi đóng gói được áp dụng trực tiếp trên bộ chuyển đổi tần số, UPS cung cấp điện liên tục và các thiết bị khác. Nó có các tính năng như tiết kiệm năng lượng, lắp đặt và bảo trì thuận tiện, tản nhiệt ổn định; Hầu hết các sản phẩm mô-đun như vậy được bán trên thị trường hiện nay, nói chung IGBT cũng có nghĩa là mô-đun IGBT; Với sự thúc đẩy của các khái niệm như tiết kiệm năng lượng và bảo vệ môi trường, các sản phẩm như vậy sẽ ngày càng được nhìn thấy trên thị trường.

　　

　　Mô-đun IGBT của SiemensCông tắc hoạt động bằng cách thêm điện áp cổng tích cực để tạo thành kênh, cung cấp dòng điện cực cơ bản cho bóng bán dẫn PNP (trước đây là NPN), để IGBT được dẫn. Ngược lại, thêm điện áp cửa ngược để loại bỏ kênh, cắt dòng điện cực cơ bản và làm cho IGBT tắt. Phương pháp điều khiển IGBT và MOSFET về cơ bản giống nhau, chỉ cần điều khiển cực đầu vào N-kênh MOSFET, vì vậy nó có đặc tính trở kháng đầu vào cao. Khi kênh của MOSFET được hình thành, nó được tiêm từ cơ sở P+vào lỗ (lepton) của lớp N, điều chế độ dẫn của lớp N, làm giảm điện trở của lớp N sao cho IGBT ở điện áp cao cũng có điện áp trạng thái thông thấp.

　　

　　Mô-đun IGBT của SiemensThận trọng khi sử dụng

　　

Vì mô-đun IGBT là cấu trúc MOSFET, cổng của IGBT đạt được sự cô lập điện từ cực phát thông qua một lớp màng oxy hóa. Vì màng oxit này rất mỏng, điện phá vỡ của nó thường đạt 20~30V. Do đó, sự cố cổng do tĩnh điện là một trong những nguyên nhân phổ biến khiến IGBT thất bại.

　　

Do đó, việc sử dụng mô-đun IGBT của Siemens cần lưu ý những điểm sau:

　　

1, khi sử dụng mô-đun, cố gắng không chạm vào phần thiết bị đầu cuối ổ đĩa bằng tay, khi bạn phải chạm vào thiết bị đầu cuối mô-đun, trước tiên hãy để điện tĩnh trên cơ thể con người hoặc quần áo với điện trở lớn tiếp đất để xả sau đó chạm vào;

　　

2, Khi kết nối các thiết bị đầu cuối mô-đun với vật liệu dẫn điện, vui lòng không kết nối các mô-đun trước khi dây chưa được kết nối;

　　

3. Cố gắng vận hành trong trường hợp tấm đế nối đất tốt. Trong ứng dụng đôi khi, mặc dù điện áp ổ đĩa cổng được đảm bảo không vượt quá cổng *** điện áp định mức lớn, nhưng cảm ứng ký sinh của kết nối cổng và kết hợp điện dung giữa cổng và bộ thu cũng sẽ tạo ra điện áp dao động làm hỏng lớp oxy hóa. Đối với điều này, một sợi đôi thường được sử dụng để truyền tín hiệu ổ đĩa để giảm cảm ứng ký sinh. Điện trở nhỏ nối tiếp trong kết nối cổng cũng có thể ức chế điện áp dao động.

　　

Ngoài ra, khi mở mạch giữa các cực phát cổng, nếu điện áp được thêm vào giữa bộ thu và bộ phát, thì với sự thay đổi điện thế thu, do dòng rò rỉ của bộ thu, điện thế cổng được nâng lên, và bộ thu có dòng điện chảy qua. Tại thời điểm này, nếu có điện áp cao giữa bộ thu và bộ phát, có thể làm nóng IGBT và gây thiệt hại. Trong trường hợp sử dụng IGBT, khi vòng cổng không bình thường hoặc vòng cổng bị hỏng (cổng ở trạng thái mở), nếu điện áp được thêm vào vòng chính, IGBT sẽ bị hỏng, để ngăn chặn sự cố như vậy, giữa cổng và cực phát nên có một điện trở khoảng 10KΩ.

　　

Khi lắp đặt hoặc thay thế mô-đun IGBT, cần chú ý đến trạng thái bề mặt tiếp xúc và mức độ thắt chặt của mô-đun IGBT và tản nhiệt. Để giảm tiếp xúc với sức đề kháng nhiệt, hãy cố gắng áp dụng silicone dẫn nhiệt giữa bộ tản nhiệt và mô-đun IGBT. Nói chung, có một quạt tản nhiệt được cài đặt ở dưới cùng của bộ tản nhiệt, khi quạt tản nhiệt bị hỏng trong bộ tản nhiệt tản nhiệt kém sẽ làm cho mô-đun IGBT nóng lên, và lỗi xảy ra. Do đó, quạt tản nhiệt nên được kiểm tra thường xuyên, nói chung ở những nơi gần mô-đun IGBT trên tản nhiệt có cảm biến nhiệt độ được cài đặt, khi nhiệt độ quá cao sẽ báo động hoặc ngừng hoạt động của mô-đun IGBT.